产品特点

产品参数

SiC器件的优势

碳化硅（SiC）是制作高温高频、大功率高压器件的理想材料之一。主要由硅元素和碳元素组合而成的一种化合物半导体材料。

作为第三代半导体材料的核心，主要用于功率+射频器件，适用于600V以上的高压场景，包括光伏、新能源汽车、充电桩、风电、轨道交通等等电力电子领域。

同第一代半导体材料硅 (Si) 相比，其禁带宽度是硅 (Si)的3倍,击穿电压为其8-10倍,导热率是其4-5倍，电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。

耐高压特征:阻抗更低，禁带宽度更宽，能承受更大的电流和电压，带来更小产品尺寸和更高效率

耐高频特征:不存在电流拖尾现象，是硅(Si)开关速度的3-10倍

耐高温特征:碳化硅(SiC)拥有非常高的导热率，相较硅(Si)来讲，能在更高的温度下工作

产品功能优势

由20kHz 提升至60kHz。碳化硅开关材料的开关频率更高，滤波特性曲线LCL滤波截止频率越远，所以输出的纹波电流衰减度更大，输出的纹波电流小。

	可蓝牙无线远程调控，支持插拔，采用国际知名品牌的SIC器件，更好的节省人力物力。
	有功损耗降低67%，相对于客户而言，实现更好的节能减排，也大大降低环境散热需求。
	碳化硅材质的开关具有更宽的禁带宽度，阻断电压可高达15kv 耐压性能增高，使性能更稳定可靠。
	整机效率最高可达99.2%，体积下降超55% ，重量下降超60%，实现极大突破。
	通过更高的开关频率及控制算法，各次谐波补偿次数可设置，实现灵活精准补偿。